Projectdetails
!!Description
In de toekomstige 6G standaard voor draadloze communicatie worden datasnelheden van enkele
Gbits per seconde beoogd. Hiervoor zal gebruik gemaakt worden van nieuw frequentiespectrum (7–
24 GHz en 110–170 GHz) met meer bandbreedte, en van complexe modulatie, die een hoge signaalruis verhouding vereist. In de zender-ontvanger elektronica wordt deze signaal-ruisverhouding vaak
beperkt door faseruis van de locale oscillator. Het verminderen van de faseruis van bestaande
oscillator topologieën in CMOS is beperkt door de lage waarde van de voedingsspanning, die de
signaalzwaai in oscillatoren beperkt. Dit probleem zal worden aangepakt in dit werk met het ontwerp
van spanningsgestuurde oscillatoren in twee GaN technologieen en InP technologie. Deze III-V
halfgeleiders kunnen hogere spanningen aan en hebben een hoge mobiliteit. Met een hoge
spanningszwaai kan een lage faseruis gerealiseerd worden.
Wegens de verschillen tussen III-V en CMOS is het niet mogelijk om bestaande topologieën van lage
faseruis oscillatoren over te nemen. Daarom zal worden onderzocht hoe oscillator topologieen
kunnen aangepast worden rekening houdend met de III-V technologie in kwestie en met de hogere
voedingsspanning. Verder zullen nieuwe circuittechnieken worden ontwikkeld om de conversie van 1/
f ruis van transistoren naar faseruis tegen te gaan en om een breed frequentiebereik voor de
spanningsgestuurde oscillatoren te bekomen. In dit werk zullen hiervoor 4 chips hiervoor ontworpen
worden.
Gbits per seconde beoogd. Hiervoor zal gebruik gemaakt worden van nieuw frequentiespectrum (7–
24 GHz en 110–170 GHz) met meer bandbreedte, en van complexe modulatie, die een hoge signaalruis verhouding vereist. In de zender-ontvanger elektronica wordt deze signaal-ruisverhouding vaak
beperkt door faseruis van de locale oscillator. Het verminderen van de faseruis van bestaande
oscillator topologieën in CMOS is beperkt door de lage waarde van de voedingsspanning, die de
signaalzwaai in oscillatoren beperkt. Dit probleem zal worden aangepakt in dit werk met het ontwerp
van spanningsgestuurde oscillatoren in twee GaN technologieen en InP technologie. Deze III-V
halfgeleiders kunnen hogere spanningen aan en hebben een hoge mobiliteit. Met een hoge
spanningszwaai kan een lage faseruis gerealiseerd worden.
Wegens de verschillen tussen III-V en CMOS is het niet mogelijk om bestaande topologieën van lage
faseruis oscillatoren over te nemen. Daarom zal worden onderzocht hoe oscillator topologieen
kunnen aangepast worden rekening houdend met de III-V technologie in kwestie en met de hogere
voedingsspanning. Verder zullen nieuwe circuittechnieken worden ontwikkeld om de conversie van 1/
f ruis van transistoren naar faseruis tegen te gaan en om een breed frequentiebereik voor de
spanningsgestuurde oscillatoren te bekomen. In dit werk zullen hiervoor 4 chips hiervoor ontworpen
worden.
Acroniem | FWOSB181 |
---|---|
Status | Actief |
Effectieve start/einddatum | 1/11/24 → 31/10/28 |
Keywords
- 6G
- chipontwerp
- spanningsgestuurde oscillatoren
Flemish discipline codes in use since 2023
- Microwave and millimetre wave technology